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      国内功率半导体需求持续上升 产品价格预期仍将上涨

      渔翁先生 ? 2019-03-19 09:30 ? 次阅读

      全球市场研究机构集邦咨询在最新《中国半导体产业深度分析报告》中指出,受益于新能源汽车、工业控制等终端市场需求大量增加,MOSFETIGBT等多种产品持续缺货和涨价,带动了2018年中国功率半导体市场规模大幅成长12.76%至2,591亿元人民币。

      其中功率分立器件市场规模为1,874亿元人民币,较2017年同比成长14.7%;电源管理IC市场规模为717亿元人民币,较2017年同?#20173;?#38271;8%。

      集邦咨询分析师谢瑞峰指出,功率半导体作为需求驱动型的产业,2019年景气仍然持续向上。虽然仍受到全球贸易不稳定等因素影响,但在需求驱动下,受影响程度要小于其他IC产品。集邦咨询预估,2019年中国功率半导体市场规模将达到2,907亿元人民币,较2018年成长12.17%,维持双位数的成长表现。

      受益于国产替代的政策推动和缺货涨价的状况,2018年多家中国本土功率半导体厂商取得亮眼的成绩,并扩大布局。其中,比亚迪微电子凭借拥有终端的优势,在车用IGBT市场快速崛起,取得中国车用IGBT市场超过两成的市占率,一跃成为中国销售额前三的IGBT供应商;MOSFET厂商华微电子和扬杰科?#21152;?#25910;大增,并且逐渐导入IGBT市场。

      另外,新建与规划中的IGBT产线有士兰微厦门12寸特色工艺产线、华润微电子在重庆建设的12寸特色工艺产线,以及积塔半导体专业汽?#23548;禝GBT产线等。同时,多家厂商也?#24230;?#30740;发SiC等新材料技术领域,基本半导体的SiC MOSFET已进入量产上市,而定位为代工的三安光电SiC产线也已开始接单、比亚迪微电子也已研发成功SiC MOSFET,其目标是到2023年实现SiC MOSFET对硅基IGBT的全面替代。

      展望2019年,从终端需求来看,新能源汽车仍然为中国功率半导体市场最大需求来源,根据集邦咨询资料显示,2019年中国新能源车产量预估为150万辆,较前一年成长45%,其ADAS系?#22330;?#30005;控以及充电桩的需求将带动功率分立器件市场规模约270亿元。同时,5G建设所需的基站设备及其普及后带来物联网、云计算的快速发展,将对功率半导体产生长期大量需求,另外,工业自动化规划持续推进,与之相关的电源、控制、驱动电路将持续推升中国功率半导体的采购。

      从供应端来看,2019年虽然有3-5条功率产线将进入量产,但根据集邦咨询预计,2019年前三季度功率分立器件产品缺货情况恐难有明?#38498;?#36716;,多家厂商的产品价格预期仍将上涨。从厂商的技术发?#20272;?#30475;,SiC MOSFET?#22411;?#36827;一步提高在车用领域对硅基IGBT的替代率,硅基IGBT则?#22411;?#21521;更低功耗、更高效率的?#36739;?#32487;续发展。

      来源:集邦咨询??

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      <SPAN CLASS=NO-UPPERCASE>OPENNSL</SPAN> 开放网络API库

      BCM81330 16nm八路56-Gb / s PAM-4双工背板PHY

      Broadcom® BCM81330是一款单芯片,低功耗脉冲幅度调制(PAM-4)PHY。它集成了均衡器和重定时器功能,支持8个全双工,56 Gb / s端口,用于背板应用。在八进制56-Gb / s模?#36739;攏珺CM81330支持双工8次和次数; 56-Gb / s PAM-4至8次; 56-Gb / s PAM-4用于在织物/线卡中驱动Long Reach(LR) (30 dB)背板。   BCM81330还支持多种标准/线速率,包括PAM-4和非归零(NRZ)。 BCM81330提供前向?#26469;恚‵EC)支持。片上时钟合成由单个低成本156.25 MHz参考时钟通过高频,?#25237;?#21160;锁相环(PLL)执?#23567;?#36890;过直接与相应的输入数据流同步,在设备上执行单个时钟?#25351;础?  BCM81330采用16-nm CMOS技术设计,提供低电平时钟?#25351;?#21151;能。电源解决方案,带集成交流耦合电容器。 BCM81330?#21830;?#20379;19毫米的时间; 19毫米,1.0毫米间距,324球BGA,符合RoHS标准的封装。 功能 •线路侧接口支持背板通道(30 dB插入损?#27169;?#21644;高性能接收器均衡功能。主机端接口符合CEI-28G / 56G-LR规范,支持LR  30-dB信道•支持FEC,可绕过•在PAM-4和NRZ中支持多种标准/线路费用•...
      发表于 07-04 10:22 ? 12次 阅读
      BCM81330 16nm八路56-Gb / s PAM-4双工背板PHY

      BROADVIEW? 仪表软件套件

      ption.partnerWindow {overflow-y: scroll;overflow-x: hidden;height: 400px;}BroadView™ is a software suite that offers programmable access to the internals of a switch in a fast and scalable manner. It delivers breakthrough solutions for dataplane tasks such as monitoring, congestion control and advanced troubleshooting. The software is offered as an open source for faster innovation and easier integration.Software Defined Networks (SDN) and Network Function Virtualization (NFV) are fundamentally transforming data networks by disaggregating vertically integrated boxes and promoting open source technologies. Traditional analytics tools are not good enough to take advantage of the new opportunities offered by SDN such as network programmability, automation and optimization. Broadcom BroadView™ offers rich congestion analytics by facilitating real-time gathering of telemetry in a scalable manner, enabling pro-active congestion monitoring and mitiga...
      发表于 07-04 10:19 ? 27次 阅读
      BROADVIEW? 仪表软件套件

      电路中MOSFET栅极电压用开关没有问题,用三极管就会引起mos管短路

      这个电?#20998;?#29992;于电机通断控制,开关频率间隔在五秒以上,不用来调速。用开关进行栅极电压控制就没有问题,把开关换成如图所示的...
      发表于 07-04 09:26 ? 680次 阅读
      电路中MOSFET栅极电压用开关没有问题,用三极管就会引起mos管短路

      功率半导体市场分析 中国厂商竞争力不足

      功率半导体主要用作电子元件中的开关及整流器,同时是矽、砷化镓、氮化矽等半导体材料,是在经过电学属性调....
      的头像 芯闻社 发表于 07-04 08:56 ? 627次 阅读
      功率半导体市场分析 中国厂商竞争力不足

      功率MOSFET技术提升系统效率和功率密度

      通过对同步交流对交流(DC-DC)转换器的功耗机制进行详细分析,可以界定必须要改进的关键金属氧化物半导体场效晶体管(MOSF...
      发表于 07-04 06:22 ? 200次 阅读
      功率MOSFET技术提升系统效率和功率密度

      英飞凌亮相PCIM Asia 2019,以最新产品技术助力多领域实现节能增效

      英飞凌以“我们赋能世界”为主题,在展会上展示了具备更高功率密度、最新芯片技术和功能更集成的一系列新产....
      发表于 07-03 18:47 ? 106次 阅读
      英飞凌亮相PCIM Asia 2019,以最新产品技术助力多领域实现节能增效

      常见的MOSFET以及IGBT绝缘栅极隔离驱动技术解析

      MOSFET以及IGBT绝缘栅双极?#28304;?#21151;率管等器件的源极和栅极之间是绝缘的二氧化硅结构,直流电不能通....
      发表于 07-03 16:26 ? 172次 阅读
      常见的MOSFET以及IGBT绝缘栅极隔离驱动技术解析

      SiC功率半导体市场起飞 电动车为主要驱动力

      电动汽车推动了SiC功率半导体市场,但成本仍然是个问题。
      的头像 DIGITIMES 发表于 07-03 14:37 ? 852次 阅读
      SiC功率半导体市场起飞 电动车为主要驱动力

      SDOOHA MOSFET负载开关的数据手册免费下载

      SDOOHA是一种低成本、低电压、单P MOSFET负载开关,针对自供电和总线供电的通用串行总线(U....
      发表于 07-03 08:00 ? 40次 阅读
      SDOOHA MOSFET负载开关的数据手册免费下载

      功率MOSFET平均售价持续上升 成为IDM大厂产品主要发展重点

      自2018年开始,功率MOSFET(Power MOSFET)的平均售价(ASP)持续上升,其中以工....
      的头像 半导体动态 发表于 07-02 16:42 ? 558次 阅读
      功率MOSFET平均售价持续上升 成为IDM大厂产品主要发展重点

      英飞凌碳化硅SiC占比充电桩市场份额超过五成

      第三代半导体材料碳化硅的发展在功率器件市场成为绝对的?#27807;恪?#20840;球功率器件龙头厂商英飞凌持续?#24230;?#30899;化硅器....
      的头像 GaN世界 发表于 07-02 16:33 ? 352次 阅读
      英飞凌碳化硅SiC占比充电桩市场份额超过五成

      如何消除静电?#22836;?ESD)对电子设备的干扰和破坏?

      在PCB板的设计当中,可以通过分层、恰当的布局布线和安装实现PCB的抗ESD设计。在设计过程中,通过....
      的头像 电子发烧友网 发表于 07-02 11:24 ? 612次 阅读
      如何消除静电?#22836;?ESD)对电子设备的干扰和破坏?

      碳化硅的历史与应用介绍

      硅与碳的唯一合成物就是碳化硅(SiC),俗?#24179;?#21018;砂。SiC 在自然界中以矿物碳硅石的形式存在,但十分稀少。不过,自1893 年以来...
      发表于 07-02 07:14 ? 216次 阅读
      碳化硅的历史与应用介绍

      UC284X和UC384X系列电流模式脉宽调制控制器的数据手册免费下载

      UC3842/3/4/5控制系列提供了实现离线或直流-直流固定频率电流模式控?#21697;?#26696;所需的功能,外部部....
      发表于 07-01 08:00 ? 46次 阅读
      UC284X和UC384X系列电流模式脉宽调制控制器的数据手册免费下载

      IGBT基本结构和原理_IGBT设计关键因素

      因为最近工作中比较多的涉及到IGBT,所以今天我?#25250;戳?#19968;聊IGBT的设计的相关要点,?#27604;恢?#26159;从我们比....
      的头像 电力电子技术与新能源 发表于 06-29 09:44 ? 374次 阅读
      IGBT基本结构和原理_IGBT设计关键因素

      ?双轮驱动下的功率半导体市场将迎来井喷

      受益于新能源汽车、工业控制等市场需求大量增加,MOSFET、IGBT等功率半导体产品持续缺货和涨价,....
      的头像 宽禁带半导体技术创新联盟 发表于 06-28 17:05 ? 1396次 阅读
      ?双轮驱动下的功率半导体市场将迎来井喷

      行业 | 功率半导体需求旺,预计2030年SiC增长10倍,GaN翻至60倍

      预计2030年(与2018年相比)SiC成长10倍,GaN翻至60倍,Si增长45.1%。
      的头像 宽禁带半导体技术创新联盟 发表于 06-28 16:03 ? 269次 阅读
      行业 | 功率半导体需求旺,预计2030年SiC增长10倍,GaN翻至60倍

      行业 | 英飞凌SiC占比充电桩市场份额超过五成

      全球功率器件龙头厂商英飞凌持续?#24230;?#30899;化硅器件的研发生产,并打入多个应用市场......
      的头像 宽禁带半导体技术创新联盟 发表于 06-27 15:31 ? 397次 阅读
      行业 | 英飞凌SiC占比充电桩市场份额超过五成

      功率半导体市场及机会深度解析!

      IGBT/三代化合物半导体功率器件在技术推进和应用驱动下迎来新一轮发展机遇。
      的头像 旺材芯片 发表于 06-27 10:04 ? 739次 阅读
      功率半导体市场及机会深度解析!

      Power Integration推出高度灵活的门极驱动器系统,适合最新的1.7 kV至4.5 kV IGBT及SiC双功率模块

      可立即使用的SCALE-iFlex系?#22478;?#26494;支持四个模块并联;出厂涂覆三防漆可极大增强可靠性。
      发表于 06-27 09:09 ? 115次 阅读
      Power Integration推出高度灵活的门极驱动器系统,适合最新的1.7 kV至4.5 kV IGBT及SiC双功率模块

      功率半导体器件基础PDF电子书免费下载

      本书系统介绍了电力电子领域广泛应用的各类功率半导体器件。由浅入深地介绍了器件的基本结构、物 理机理、....
      发表于 06-27 08:00 ? 150次 阅读
      功率半导体器件基础PDF电子书免费下载

      MOSFET理解与应用 如?#32705;?#39640;放大器的Robust

      哪些因素会影响MOSFET放大器的Robust增加一个电阻,提高Robust增加一个电容。
      发表于 06-26 14:33 ? 114次 阅读
      MOSFET理解与应用 如?#32705;?#39640;放大器的Robust

      最经典MOS管电路工作原理及详解

      mos管是金属(metal)、氧化物(oxide)、半导体(semiconductor)场效应晶体管....
      发表于 06-25 16:59 ? 152次 阅读
      最经典MOS管电路工作原理及详解

      功率半导体需求旺 预计2030年SiC增长10倍,GaN翻至60倍

      据日本富士经济(Fuji Keizai)6月发布功率半导体全球市场的报告预估,汽车,电气设备,信息和....
      的头像 渔翁先生 发表于 06-25 11:22 ? 3832次 阅读
      功率半导体需求旺 预计2030年SiC增长10倍,GaN翻至60倍

      国内SiC距离大规模量产还差“东风”吹来

      SiC优越的半导体特性,未来将可为众多的元件所采用。
      的头像 旺材芯片 发表于 06-25 11:14 ? 385次 阅读
      国内SiC距离大规模量产还差“东风”吹来

      IR2133系列高电压和高速功率MOSFET IGBT驱动器的数据手册免费下载

      IR2133IR2135/IR2233 IR2355(J&S)是高电压、高速功率MOSFET和IGB....
      发表于 06-20 08:00 ? 180次 阅读
      IR2133系列高电压和高速功率MOSFET IGBT驱动器的数据手册免费下载

      SiC功率器件加速充电桩市场发展

      随着我国新能源汽车市场的不断扩大,充电桩市场发展前景广阔。SiC材料的功率器件可以实现比Si基功率器....
      发表于 06-18 17:24 ? 139次 阅读
      SiC功率器件加速充电桩市场发展

      MOS管阈值电压与沟长和沟宽的关系

      关于 MOSFET 的 W 和 L 对其阈值电压 Vth 的影响,?#23548;?#22312;考虑工艺相关因素后都是比较复....
      发表于 06-18 17:19 ? 230次 阅读
      MOS管阈值电压与沟长和沟宽的关系

      MOSFET开通时间和关断时间定义

      电路设计的问题,就是让MOS管工作在线性的工作状态,而不是在开关状态。这也是导致MOS管发热的一个原....
      发表于 06-18 16:49 ? 408次 阅读
      MOSFET开通时间和关断时间定义

      MOS管参数及含义说明

       交流参数可分为输出电阻和低频互导2个参数,输出电阻一般在几十千欧到几百千?#20998;?#38388;,而低频互导一般在十....
      发表于 06-18 16:01 ? 187次 阅读
      MOS管参数及含义说明

      场效应管及其基本应用的详细资料说明

      本文档的主要内容详细介绍的设计场效应管及其基本应用的详细资料说明主要内容包括了:1.引言,2.场效应....
      发表于 06-17 08:00 ? 94次 阅读
      场效应管及其基本应用的详细资料说明

      光刻机的背景技术和工作原理及专利分析的详细资料说明

      近两年,中国芯片产业受到了?#29616;?#25171;击,痛定?#32426;?#20043;余也让国人意识到芯片自主研发的重要性。从2008年以来....
      的头像 旺材芯片 发表于 06-16 09:56 ? 919次 阅读
      光刻机的背景技术和工作原理及专利分析的详细资料说明

      亚洲工业市场规模已达44亿美元,ST打算吞下这块“肥肉”

      虽然工业市场规模庞大,然而却高度碎片化,要像吃下这块“肥肉”并不那么容易。为了能顺利吃到肉,2019....
      的头像 荷?#30701;? 发表于 06-14 20:29 ? 3377次 阅读
      亚洲工业市场规模已达44亿美元,ST打算吞下这块“肥肉”

      干货 | 一文了解 SiC/GaN 功率转换器驱动

      基于碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)等宽带隙(WBG)半导体的新型高效率、超快速功率转换器已经开始....
      的头像 电机控制设计加油站 发表于 06-13 11:45 ? 661次 阅读
      干货 | 一文了解 SiC/GaN 功率转换器驱动

      IGBT与MOSFET到?#23376;?#20160;么区别

      mos管是金属(metal)—氧化物(oxide)—半导体(semiconductor)场效应晶体管....
      发表于 06-13 08:00 ? 198次 阅读
      IGBT与MOSFET到?#23376;?#20160;么区别

      CISSOID和中科院电工所建立战?#38498;?#20316;关系 共同推动碳化硅功率器件应用

      高温半导体解决方案供应商CISSOID?#28072;?#23459;布:公司已与中国科学院电工研究所(简称中科院电工所)达成....
      发表于 06-10 14:10 ? 591次 阅读
      CISSOID和中科院电工所建立战?#38498;?#20316;关系 共同推动碳化硅功率器件应用

      在LLC拓扑中,选择体二极管?#25351;?#24555;的MOSFET的原因是什么

      在当前全球能源危机的形?#36739;攏?#25552;高电子设备的能效,取得高性能同时降低能?#27169;?#25104;为业内新的关注点。为顺应这....
      发表于 06-04 10:09 ? 456次 阅读
      在LLC拓扑中,选择体二极管?#25351;?#24555;的MOSFET的原因是什么

      IA1227同步降压调节器的数据手册免费下载

      IA1227是一?#25351;?#39057;、同步、整流、降压、开关模式转换器,带有内部功率MOSFET。它提供了一个非常....
      发表于 05-31 08:00 ? 62次 阅读
      IA1227同步降压调节器的数据手册免费下载

      NCE3080K N通道增强型功率MOSFET的数据手册免费下载

      NCE3080K采用先进的沟槽技术和设计,以提供优秀的RDS(开),低门电荷。它可以在各?#25351;?#26679;的应用....
      发表于 05-31 08:00 ? 63次 阅读
      NCE3080K N通道增强型功率MOSFET的数据手册免费下载

      NCE2312 N通道增强型功率MOSFET的数据手册免费下载

      NCE2312采用先进的沟道技术,提供优良的RDS(开),低栅充电和低至2.5V的栅电压操作。该设备....
      发表于 05-31 08:00 ? 78次 阅读
      NCE2312 N通道增强型功率MOSFET的数据手册免费下载

      HN0801 N通道增强模式功率MOSFET的数据手册免费下载

      该HN0801结合了先进的沟道MOSFET技术和低电阻封装,以提供极低的RDS(开)。该设备是电源开....
      发表于 05-31 08:00 ? 94次 阅读
      HN0801 N通道增强模式功率MOSFET的数据手册免费下载

      HN0501 N通道增强模式功率MOSFET的数据手册免费下载

      该HN0501采用先进的沟槽技术和设计,以提供优秀的无线电数据系统(开),低门电荷。它可以在各?#25351;?#26679;....
      发表于 05-31 08:00 ? 84次 阅读
      HN0501 N通道增强模式功率MOSFET的数据手册免费下载

      SiC和GaN?#28304;?#32479;Si功率电子的影响

      由于半导体制程的不断精进,数位逻辑晶片的电晶体密度不断增高,运算力不断增强,使运算的取得愈?#20174;?#20415;宜,....
      的头像 GaN世界 发表于 05-30 17:08 ? 387次 阅读
      SiC和GaN?#28304;?#32479;Si功率电子的影响

      AO3480 30V N沟道MOSFET的数据手册免费下载

      AO3480将先进的沟道MOSFET技术与低电阻封装相结合,以提供极低的ROS(开)。该设备适用于A....
      发表于 05-28 08:00 ? 106次 阅读
      AO3480 30V N沟道MOSFET的数据手册免费下载

      UCC27517A-Q1 具有 5V 负输入电压处理能力的 4A/4A 单通?#26639;?#36895;低侧栅极驱动器

      UCC27517A-Q1单通?#26639;?#36895;低侧栅极驱动器件有效地驱动金属氧化物半导体场效应应晶体管(MOSFET)和绝缘栅双极型晶体管UCC27517A-Q1能够灌,拉高峰值电流脉冲进入到电容负载值为13ns)。 UCC27517A-Q1器件在输入上处理-5V电压。 当V DD = 12V时,UCC27517A-Q1?#21830;?#20379;峰值为4A的灌/拉(对称驱动)电流驱动能力。 UCC27517A-Q1在4.5V至18V的宽V DD 范围以及-40°C至140° C的宽温度范围内运行.V DD 引脚上的内部?#36153;?#38145;定(UVLO)电路可在V DD 超出运行范围时使输出保持低电平。此器件能够在低电压(例如低于5V)下运行,并且拥有同类产品中最佳的开关特性,因此非常适用于驱动诸的GaN功率半导体器件等新上市的宽带隙电源开关器件。 特性 符合汽车应用要求 具有符合AEC-Q100标准的下列结果: 符合汽车应用要求的器件温度1级:-40°C至125°C的环境运?#24418;?#24230;范围 器件人体放电模式(HBM)静电放电(ESD)分类等级2 器件组件充电模式(CDM)ESD分类等级C6 低成本栅极驱动器件提供NPN和PNP离散解决方案的高品质替代产品 4A峰值拉电流和灌电流对称驱动 能够输入上处理负...
      发表于 10-16 11:19 ? 20次 阅读
      UCC27517A-Q1 具有 5V 负输入电压处理能力的 4A/4A 单通?#26639;?#36895;低侧栅极驱动器

      UCC27211 120V 升压 4A 峰值电流的高频高侧/低侧驱动器

      UCC27210和UCC27211驱动器是基于广受欢迎的UCC27200和UCC27201 MOSFET驱动器,但性能得到了显着提升。峰值输出上拉和下拉电流已经被提高至4A拉电流和4A灌电流,并且上拉和下拉电阻已经被减小至0.9Ω,因此可以在MOSFET的米勒效应?#25945;?#36716;换期间用尽可能小的开关损耗来驱动大功率MOSFET。现在,输入结构能够直接处理-10 VDC,这提高了稳健耐用性,并且无需使用整流二极管即可实现与栅极驱动变压器的直接对接。这些输入与电源电压无关,并且具有20V的最大额定值。 UCC2721x的开关节点(HS引脚)最高可处理-18V电压,从而保护高侧通道不受寄生电感和?#30001;?#30005;容所固有的负电压影响.UCC27210(a CMOS输入)和UCC27211( TTL输入)已经增加了滞后特性,从而使得到模拟或数字脉宽调制(PWM)控制器接口的抗扰度得到了增强。 低侧和高侧栅极驱动器?#23884;?#31435;控制?#27169;?#24182;在彼此的接通和关?#29616;?#38388;实现了2ns的延迟匹配。 由于在芯片上集成了一个额定电压为120V的?#36291;?#20108;极管,因此无需采用外部分立式二极管。高侧和低侧驱动器均配有?#36153;?#38145;定功能,?#21830;?#20379;对称的导通和关断行为,并且能够在驱动电压低于指定阈值时将输出强制为低...
      发表于 10-16 11:19 ? 151次 阅读
      UCC27211 120V 升压 4A 峰值电流的高频高侧/低侧驱动器

      UCC27710 具?#35874;?#38145;功能的 620V 0.5A、1.0A 高侧低侧栅极驱动器

      UCC27710是一款620V高侧和低侧栅极驱动器,具有0.5A拉电流,1.0A灌电流能力,专用于驱动功率MOSFET或IGBT。 对于IGBT,建议的VDD工作电压为10V至20V,对于MOSFET,建议的VDD工作电压为17V。 UCC27710包含保护特性,在此情况下,?#31508;?#20837;保持开路状态时,或当未满足最低输入脉宽规范时,输出保持低位。互锁和死区时间功能可防止两个输出同时打开。此外,该器件可接受的偏置电源范围宽幅达10V至20V,并且为VDD和HB偏置电源提供了UVLO保护。 该器件采用TI先进的高压器件技术,具有强大的驱动器,拥有卓越的噪声和瞬态抗扰度,包括较大的输入负电压容差,高dV /dt容差,开关节点上较宽的负瞬态安全工作区(NTSOA),以及互锁。 该器件包含一个接地基准通道(LO)和一个悬空通道(HO),后者专用于自电源或隔离式电源操作。该器件具有快速传播延迟特性并可在两个通道之间实现卓越的延迟匹配。在UCC27710上,每个通道均由其各自的输入引脚HI和LI控制。 特性 高侧和低侧配置 双输入,带输出互锁和150ns死区时间 在高达620V的电压下完全?#28903;?#24120;工作,HB引脚上的绝对最高电压为700V VDD建...
      发表于 10-16 11:19 ? 180次 阅读
      UCC27710 具?#35874;?#38145;功能的 620V 0.5A、1.0A 高侧低侧栅极驱动器

      UCC27533 栅极驱动器

      UCC2753x单通?#26639;?#36895;栅极驱动器可有效地驱动MOSFET和IGBT电源开关.UCC2753x器件采用一种通过不对称驱动(分离输出)提供高达2.5A和5A灌电流的设计,同时结合了支持负断偏置电压,轨道轨道驱动功能,极小传播延迟(通常为17ns)的功能,是MOSFET和IGBT电源开关的理想解决方案.UCC2753x系列器件也可支持使能,双输入以及反相和同相输入功能。隔离输出与强大的不对称驱动提高了器件对寄生米勒效应的抗扰性,并有助于减少地的抖动。 输入引脚保持断开状态将使驱动器输出保持低电平。驱动器的逻辑行为显示在应用图,时序图和输入与输出逻辑真值表中。 VDD引脚上的内部电路提供一个?#36153;?#38145;定功能,此功能在VDD电源电压处于工作范围内之前使用输出保持低电平。 特性 低成本栅极驱动器(为FET和IGBT的驱动提供最佳解决方案) 分立式晶体管(1800pF负载时的典型值分别为15ns和7ns) ?#36153;?#38145;定(UVLO) 被用作高侧或低侧驱动器(如果采用?#23454;?#30340;偏)置和信号隔离设计) 低成本,节省空间的5引脚或6引脚DBV(SOT-23)封装选项 UCC27536和UCC27537与TPS2828和TPS2829之间引脚对引脚兼容 工作温度范围:...
      发表于 10-16 11:19 ? 184次 阅读
      UCC27533 栅极驱动器

      UCC27531 2.5A、5A、40VMAX VDD FET 和 IGBT 单门驱动器

      UCC2753x单通?#26639;?#36895;栅极驱动器可有效地驱动MOSFET和IGBT电源开关.UCC2753x器件采用一种通过不对称驱动(分离输出)提供高达2.5A和5A灌电流的设计,同时结合了支持负断偏置电压,轨道轨道驱动功能,极小传播延迟(通常为17ns)的功能,是MOSFET和IGBT电源开关的理想解决方案.UCC2753x系列器件也可支持使能,双输入以及反相和同相输入功能。隔离输出与强大的不对称驱动提高了器件对寄生米勒效应的抗扰性,并有助于减少地的抖动。 输入引脚保持断开状态将使驱动器输出保持低电平。驱动器的逻辑行为显示在应用图,时序图和输入与输出逻辑真值表中。 VDD引脚上的内部电路提供一个?#36153;?#38145;定功能,此功能在VDD电源电压处于工作范围内之前使用输出保持低电平。 特性 低成本栅极驱动器(为FET和IGBT的驱动提供最佳解决方案) 分立式晶体管(1800pF负载时的典型值分别为15ns和7ns) ?#36153;?#38145;定(UVLO) 被用作高侧或低侧驱动器(如果采用?#23454;?#30340;偏)置和信号隔离设计) 低成本,节省空间的5引脚或6引脚DBV(SOT-23)封装选项 UCC27536和UCC27537与TPS2828和TPS2829之间引脚对引脚兼容 工作温度范围:...
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      UCC27531 2.5A、5A、40VMAX VDD FET 和 IGBT 单门驱动器

      TPS51604 用于高频 CPU 内核功率应用的同步降压·FET 驱动器

      TPS51604驱动器针对高频CPU V CORE 应用进行了优化。具有降低死区时间驱动和自动零交越等 SKIP 引脚提供CCM操作选项,以支持输出电压的受控制理。此外,TPS51604支持两种低功耗模式。借助于脉宽调制(PWM)输入三态,静态电流被减少至130μA,并支持立即响应。当 SKIP 被保持在三态时,电流被减少至8μA(?#25351;辭谢?#36890;常需要20μs)。此驱动器与合适的?#36718;?#20202;器(TI)控制器配对使用,能够成为出色的高性能电源系?#22330;? TPS51604器件采用节省空间的耐?#20173;?#24378;型8引脚2mm x 2mm WSON封装,工作温度范围为-40°C至105°C。 特性 针对已优化连续传导模式(CCM)的精简死区时间驱动电路 针对已优化断续传导模式(DCM)效率的自动零交叉检测 针对已优化轻负载效率的多个低功耗模式 为了实?#25351;?#25928;运行的经优化信号路径延迟 针对超级本(超极本)FET的集成BST开关驱动强度 针对5V FET驱动而进行了优化 转换输入电压范围(V IN < /sub>):4.5V至28V 2mm×2mm 8引脚WSON散热垫封装 所有商标均为其各自所有者的财产。 参数 与其它产品相比?半桥驱动器 ? Number of Channels (#) ...
      发表于 10-16 11:19 ? 115次 阅读
      TPS51604 用于高频 CPU 内核功率应用的同步降压·FET 驱动器
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