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      预计到2023年我国激光产业市场规模将达到469亿元

      墨记 ? 2019-03-24 11:12 ? 次阅读

      激光是通过人工方式,用光或放电等强能量激发特定的物质而产生的光,1960 年,人类成功地制造出世界上第一台激光器,产生了激光。由于激光具有完全不同于普通光的性质,很快被广泛应用于各个领域,并深刻地影响了科学、技术、经济和社会的发展及变革。

      激光与原子能、半导体、计算机共同被视为 20世纪的现代四项重大发明,对人类社会进步和发展发挥着重要作用; 激光技术也被美国科学家总结为影响全球未来发展的 18项重大关键技术之一。激光技术可广泛应用于民用领域和军用领域,激光技术及产业已成为多政府重点扶持并由科研院所?#25512;?#19994;共同主导的国家战略新兴产业。在民用领域中,激光技术是现代高端制造的基础性技术之一,在国民经济中有显著的放大效应。?#35775;?#20027;要国?#20197;?a href='http://m.elecfans.com/article/778924.html' target='_blank' class='arckwlink_hide'>机械、汽车、航空、钢铁、造船、电子等大型制造产业中,基本完成了激光加工工艺?#28304;?#32479;加工工艺的替代更新,进入“光加工”时代。在军事领域中,随着激光技术的发展,激光定向能武器成为各国重点支持和发展的新概念武器,而高功率、高光束质量光纤激光器已成为?#35775;?#20891;事大国的定向能新概念武器的首选光源之一。整体而言,激光技术进步正推动着世界“光加工”工业革命和“光对抗”军事变革,发展前景广阔。

      激光技术发展现状

      激光正从广度和深度两方面日益拓展应用领域, 逐步渗透到国民经济的多个领域。在装备制造领域,高功率激光设备在航空、航天、汽车、高铁、船舶等高端装备制造等领域的切割焊接测量、打标等?#26041;?#21457;挥着越来越重要的作用。

      例如:在现代汽车制造中,汽车、高铁车身焊接均已全部实现激光焊接;激光加工是飞机机头(驾驶舱)机身切割成型和焊接的最佳解决方案。在精细微加工方面,超短脉冲激光在光伏、液晶显示、半导体、LEDOLED等领域的钻孔、刻线、划槽、表面?#35780;?#21270;、表面改性、修整、清洗等?#26041;?#21457;挥了不?#21830;?#20195;的作用。此外,激光与生物学、医学治疗及诊断、制药科学相结合,激光抗癌和物理治疗、激光手术、激光诊断、激光眼科治疗、激光美容已普遍进入医学各分诊疗科室,激光基因定序仪的发明使基因测序检测的时间过程加快了数百万倍。总之,激光与战略性新兴产业七大领域密切相关, 自身也是战略性新兴产业高端装备制造业的重要内容。

      我国激光行业市场增长迅速,激光产业已形成完整、成熟的产业链分布。2016年我国激光设备销售收入达到385亿元,同比增长达到11.59%,2010-2016年激光设备市场销售规模年均增长达到25.83%。国内激光市场主要包括激光加工设备、光通信器件与设备、激光测量设备、激光器、激光医疗设备、激光元部件等,要应用则在于工业加工和光通信市场,两者占据了近7成的市场份额。目前我国激光产业主要应用于激光加工、医?#39057;?#34892;业,其中科研开发领域占12%,材料加工领域占32%,通讯领域占12%,信息领域占14%,医学领域占20%,测量与其他领域各占9%和1%。

      中国激光产业市场起步较晚,但随着中国装备制造业的迅猛发展,近年来,中国激光产业获得了飞速的发展。 中国是活跃的制造业市场及工业激光设备的主要市场,受宏观经济发展、制造业产业升级、国家政策支持等因素影响,中国工业激光产业成为受高度关注的产业之一,市场发展迅速。2015 年,中国取代?#20998;蓿?#39318;次成为激光器最大的消费市场,市场规模增长至28亿美元左右,约占全球市场规模的 29%。但由于国产产能不足以及产品品质差异,国内企业从?#35775;?#36827;口激光器的数量不断增加。

      尽管激光产业发展迅猛,但高端激光产品领域仍由美国、日本、德国等地区的跨国企业占领,国内企业以低端产品市场为主。

      激光作为尖端技术行业,具有高技术壁垒,高成本的特点。在全球激光市场中,主要的生产厂商有通快,大族,相干,IPG,Cymer,白超等公?#23613;?#36890;快以 30%的市场?#21152;新?#20026;绝对的龙头,而大族作为国内的自主品牌企业,在 2014年的激光市场分额上为 8%,排名世界第二,成绩傲人。2015 年、2016 年激光企业排名比较稳定,第一名依然为 Trumpf,其次排名顺序为 IPG、大族激光、Coherent、华工科技。2016 年 Trumpf 以收入 31 亿欧元据绝对的龙头地位,而 IPG 收入为 10.6 亿美元与大族激光 69.59 亿元相当。

      随着我国激光应用领域的不断扩展以及应用深度的加大,未来行业需求前景看好,预计行业规模复合增速在10%以上,按照10%的复合增速保守估计,到2023年我国激光产业市场规模将达到469亿元。
      经过多年的发展,激光技术已经在各个行业中广泛应用,直接影响了其在各个行业中的应用前景,在工业上,技术已然突破以往的局限,势必会改变当今世界各行各业的发展格局,提升各行各业的发展进程,在往后的发展中会逐渐成为整个人类社会的技术支柱 。对于人类社会的生产生活的重要价?#21040;?#20250;不断提升。

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      英特尔近日在旧金山召开的SemiCon West上公布了他们在半导体领域最新的?#33455;?#25104;果,一共公布了三....
      的头像 满天芯 发表于 07-11 16:58 ? 353次 阅读
      ?#36153;栏?#19981;影响创新 英特尔公布三种3D封装新技术

      日韩半导体商战开打 中国将是最大受益者

      ?#27604;唬?#23384;储、OLED的价格,也取决于市场需求方,?#36824;?#21326;为、小米的市场能否增长,韩国半导体发展的秘密....
      的头像 半导体行业联盟 发表于 07-11 16:32 ? 656次 阅读
      日韩半导体商战开打 中国将是最大受益者

      联电、世界先进第2季优于预期 下半年市况忧虑?#33322;?/a>

      近日,晶圆代工厂联电、世界先进6月业绩同步滑落,不过,两公司第2季业绩均较首?#23616;?#36300;回升,联电季增逾1....
      的头像 半导体投资联盟 发表于 07-11 16:07 ? 239次 阅读
      联电、世界先进第2季优于预期 下半年市况忧虑?#33322;? />    </a>
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      南京新潮半导体基金将成立 规模暂定为3亿元

      7月10日,上海新朋实业股份有限公司(以?#24405;?#31216;“新朋股份?#20445;?#21457;布公告称,其全资子公司上海瀚娱动投?#35270;?...
      的头像 半导体动态 发表于 07-11 15:51 ? 300次 阅读
      南京新潮半导体基金将成立 规模暂定为3亿元

      注意输入电容中的RMS电流

      作者:Robert Kollman,德州仪器 (TI) 电源中常常被忽略的一种应力是输入电容 RMS 电流。若不正确理解它,过电流会使电...
      发表于 07-11 08:19 ? 155次 阅读
      注意输入电容中的RMS电流

      电源设计的负载瞬态响应改善

      作者:Robert Kollman,德州仪器 (TI) 这篇《电源设计小贴士》是《电源设计小贴士 23》的后续文章。它着重介绍如何使用T...
      发表于 07-11 07:33 ? 138次 阅读
      电源设计的负载瞬态响应改善

      改善负载瞬态响应的方法

      作者:Robert Kollman,德州仪器 (TI) 本文将重点介绍利用一个 TL431 并联稳压器关闭隔离电源的反馈环路。文章将讨论一...
      发表于 07-11 07:10 ? 138次 阅读
      改善负载瞬态响应的方法

      常见的误差放大器使用错误如何避免

      作者:Robert Kollman,德州仪器 (TI) 本文集中介绍一些您可以很轻松避免的电源误差放大器使用错误,主要包括错误计算误差...
      发表于 07-11 07:07 ? 146次 阅读
      常见的误差放大器使用错误如何避免

      生成多个负输出电压的方法

      作者:Robert Kollman,德州仪器 (TI) 因特网协议语音传输 (VoIP) 电话的出现带来了对于生成多个高压负输出的需求,这...
      发表于 07-11 06:30 ? 142次 阅读
      生成多个负输出电压的方法

      宽光谱无线光通信技术理论与方法?#33455;?/a>

      宽光谱信号的传输特征在不同时空环境下如何变化,以及如何充分利用多维自由度来实现高可靠性的传输等难题被一一破解,使得宽光谱...
      发表于 07-11 06:14 ? 126次 阅读
      宽光谱无线光通信技术理论与方法?#33455;? />    </a>
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      不同医学数字?#19978;?#35774;的挑战

      作者:Suribhotla (Raja) Rajasekhar,德州仪器 (TI) 设计工程师 21 世纪数字?#19978;?#25216;术的出现给我们带来优异的诊断功能、...
      发表于 07-10 06:11 ? 54次 阅读
      不同医学数字?#19978;?#35774;的挑战

      稳压器的输出电压精度

      作者:Robert Kollman,德州仪器 (TI) 虽然输出电压不断下降而稳压要求正变得越来越高,但是您的任务可能并非像其表面上看...
      发表于 07-10 06:09 ? 132次 阅读
      稳压器的输出电压精度

      分享一个学?#30333;?#26009;:漫画半导体

            该资料是一漫画的形式?#27493;?#21322;导体,画风不错,个人?#33455;?#21487;以在一定程度上解决单纯学半导体给我们带来的...
      发表于 07-09 11:17 ? 307次 阅读
      分享一个学?#30333;?#26009;:漫画半导体

      TO294YSX 10Gb / s冷却EML即可

      Broadcom TO294YSx是一款10Gb / s光发射机系列,在TO-中集成了高速电吸收激光器(EML),微型TEC和监视器PD。可同轴包装。它设计用于小型可插拔收发器?#25512;?#20182;类型的光模块,用于高速电信和数据通信应用,包括SONET OC-192,SDH STM-64和10G以太网。 功能 数据速率高达10.7 Gb / s  链接距离最大40 km,速度为10 Gb / s 温度稳定 TEC功耗非常低 50Ω单端数据输入 外壳工作温度范围:-40至+85°C 应用 10G光收发器模块(XFP,X2,XENPAK和SFP +) 用于SONET / SDH的300针转发器 10GbE接口 线卡 100GHz信道间隔DWDM...
      发表于 07-04 11:19 ? 0次 阅读
      TO294YSX 10Gb / s冷却EML即可

      247E-1490 247E-1490

      247Ex-1490是一款单模边缘发射激光二极管芯片,发射波长为1490 nm,适用于输出功率高达75 mW的非制冷应用。该设计是在n?#32479;?#24213;上生长的带帽的台面掩埋异?#24335;?#26500;(CMBH),具有多量子阱(MQW)有源层和分布反馈(DFB)光栅层。刻面在前刻面上涂有抗反射层,在后刻面上涂有高反射涂层。在p侧和n侧都提供金?#27010;獺?#20986;于识别目?#27169;?#33455;片两侧都会出现一个十六进制数字。所有激光芯片都来自已经使用代表性的许多器件进行?#29616;?#30340;晶片,这些器件必须达到可接受的老化和多温度CW测试产量。每个出厂裸芯片都在25摄氏度下进行脉冲测试。 特性 高输出功率 低光束发散角 ?#28903;?#21512;结合或结合 久经?#20339;?#30340;现场可靠性历史悠久 设计可靠性,包括高质量MOCVD外延 专利低渗透欧姆p接触设计 专利的接合侧?#27010;蹋?#25552;供焊料渗透的屏障 工作温度– 5°C至+ 75°C...
      发表于 07-04 10:56 ? 16次 阅读
      247E-1490 247E-1490

      725VR 725VR

      725型25 Gb / s EML芯片载体(CoC)是一种光学子组件,由1.3微米电子吸收调制激光器组成( EML)安装在金属化平台上。  CoC已经过吹扫和电光测试,可支持25 Gb / s的应用。 该载波有四个LAN-WDM波长通道,共4次; 25Gb / s传输。 功能 能够传输高达28 Gb / s LAN-WDM平均值为~1296,1300,1305标称值1309 nm,4次; 25/28 Gb / s传输应用 工作温度45~60℃ CMBH多量子阱DFB结构 高度可靠 用于高ER /低Vpp的高带宽调制器...
      发表于 07-04 10:56 ? 6次 阅读
      725VR 725VR

      247E-1310 247E-1310

      247Ex-1310是一款单模边缘发射激光二极管芯片,发射频率为1310 nm,适用于输出功率高达75mW的非制冷应用。该设计是在n?#32479;?#24213;上生长的带帽的台面掩埋异?#24335;?#26500;(CMBH),具有多量子阱(MQW)有源层和分布反馈(DFB)光栅层。刻面在前刻面上涂有抗反射层,在后刻面上涂有高反射涂层。在p侧和n侧都提供金?#27010;獺?#20986;于识别目?#27169;?#33455;片两侧都会出现一个十六进制数字。所有激光芯片都来自已经使用代表性的许多器件进行?#29616;?#30340;晶片,这些器件必须达到可接受的老化和多温度CW测试产量。每个出厂裸芯片都在25摄氏度下进行脉冲测试。 特性 高输出功率 低光束发散角 ?#28903;?#21512;结合或结合 久经?#20339;?#30340;现场可靠性历史悠久 设计可靠性,包括高质量MOCVD外延 专利低渗透欧姆p接触设计 专利的接合侧?#27010;蹋?#25552;供焊料渗透的屏障 工作温度– 5°C至+ 75°C...
      发表于 07-04 10:56 ? 6次 阅读
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      AFCD-V54JZ 25 Gb / s 1x4阵列氧化物VCSEL

      Broadcom AFCD-V54JZ 850nm 25 Gb / s 1x4阵列氧化物GaAs基垂直腔面发射激光器(VCSEL),具有150微米厚的基板。   VCSEL阵列专为高速光数据通信应用而设计,可产生圆对称的窄光束,通过?#23454;?#30340;镜头,可将光功?#35270;行?#32806;合到50 / 125um和62.5 / 125um多模光纤中。 / div> 功能 850nm波长范围 数据速率从DC到25Gb / s 高功率输出  适用于非密封环境 应用 100GbE QSFP28有源光缆(AOC)
      发表于 07-04 10:55 ? 6次 阅读
      AFCD-V54JZ 25 Gb / s 1x4阵列氧化物VCSEL

      AFCD-V51KC1 25 Gb / s氧化物VCSEL

      Broadcom AFCD-V51KC1 850nm 25 Gb / s氧化镓GaAs基垂直腔面发射激光器(VCSEL),具有150微米厚的基板。   VCSEL专为高速光数据通信应用而设计,可将光功?#35270;行?#32806;合到50 / 125um和62.5 / 125um多模光纤中。 功能 850nm波长范围 数据速率从DC到25Gb / s 符合100 Gb以太网 高功率输出  适用用于非密封环境 应用程序 25GbE SR SFP28可插拔收发器 25GbE SFP28有源光缆(AOC)
      发表于 07-04 10:55 ? 6次 阅读
      AFCD-V51KC1 25 Gb / s氧化物VCSEL

      AFCD-V21KA2 10 Gb / s 850nm氧化物VCSEL

      Broadcom AFCD-V21KA2是一款850nm 10 Gb / s氧化镓GaAs基垂直腔面发射激光器(VCSEL),具有150微米厚的基板,专为高速光学设计数据通信应用。   VCSEL设计用于符合IEEE 802.3ae 10GBASE-SR的10Gb / s以太网链路,可将光功?#35270;行?#32806;合到50 / 125um和62.5 / 125um多模光纤中。 功能 850nm波长范围  数据速率从DC到10.3125 Gb / s  温度范围从5C到+ 75C 适用于非密封环境 应用 10GbE SR SFP +可插拔收发器 10GbE SFP +有源光缆(AOC) )...
      发表于 07-04 10:55 ? 10次 阅读
      AFCD-V21KA2 10 Gb / s 850nm氧化物VCSEL

      AFCD-V51KC 28 Gb / s氧化物VCSEL

      Broadcom AFCD-V51KC是一款850nm 28 Gb / s氧化镓GaAs基垂直腔面发射激光器(VCSEL),具有150微米厚的基板。   VCSEL专为高速光数据通信应用而设计,可将光功?#35270;行?#32806;合到50 / 125um和62.5 / 125um多模光纤中。 功能 850nm波长范围 数据速率从DC到28Gb / s 高功率输出  适用于非密封环境 应用 25GbE SFP28有源光缆(AOC)
      发表于 07-04 10:54 ? 8次 阅读
      AFCD-V51KC 28 Gb / s氧化物VCSEL

      AWR1843 集成 DSP、MCU 和雷达加速器的 76GHz 至 81GHz 单芯片汽车雷达传感器

      AWR1843器件是一款集成的单芯片FMCW雷达传感器,能够在76至81 GHz频?#25991;?#24037;作。该器件采用TI的低功耗45纳米RFCMOS工艺制造,可在极小的外形尺寸内实现前所未有的集成度。 AWR1843是汽车领域低功?#27169;?#33258;监控,超精确雷达系统的理想解决方案。 AWR1843器件是一款独立的FMCW雷达传感器单芯片解决方案,可简化在76至81 GHz频?#25991;?#23454;施汽车雷达传感器。它基于TI的低功耗45纳米RFCMOS工艺,可实现具?#24515;?#32622;PLL和A2D转换器的3TX,4RX系统的单片实现。它集成了DSP子系统,其中包含TI的高性能C674x DSP,用于雷达信号处理。该设备包括BIST处理器子系统,负责无线电配置,控制和校准。此外,该器件还包括一个用户可编程ARM R4F,用于汽?#21040;?#21475;。硬件加速器模块(HWA)可以执行雷达处理,并可以帮助在DSP上保存MIPS以获得更高级别的算法。简单的编程模型更改可以实现各种传感器实现(短,中,长),并且可以动态重新配置以实现多模传感器。此外,该设备作为完整的平台解决方案提供,包括参?#21152;?#20214;设计,软件驱动程序,示例配置,API?#25913;?#21644;用户文档。 特性 FMCW收发器 集成PLL,发送器,接收...
      发表于 01-08 17:51 ? 668次 阅读
      AWR1843 集成 DSP、MCU 和雷达加速器的 76GHz 至 81GHz 单芯片汽车雷达传感器

      OPA4388 10MHz、CMOS、零漂移、零交叉、真 RRIO 精密运算放大器

      OPAx388(OPA388,OPA2388和OPA4388)系列高精度运算放大器是超低噪声,快速稳定,零漂移,零交叉器件,可实现轨到轨输入和输出运行。这些特性及优异交流性能与仅为0.25μV的偏移电压以及0.005μV/°C的温度漂移相结合,使OPAx388成为驱动高精度模数转换器(ADC)或缓冲高?#30452;?#29575;数模转换器(DAC)输出的理想选择。该设计可在驱动模数转换器(ADC)的过程中实现优异性能,不会降低线性度.OPA388(单通道版本)提供VSSOP-8,SOT23 -5和SOIC-8三种封装.OPA2388(双通道版本)提供VSSOP-8和SO-8两种封装.OPA4388(四通道版本)提供TSSOP-14和SO-14两种封装。上述所有版本在-40°C至+ 125°C扩展工业温度范围内额定运行。 特性 超?#25512;?#31227;电压:±0.25μV 零漂移:±0.005μV/°C 零交叉:140dB CMRR?#23548;蔙RIO 低噪声:1kHz时为7.0nV /√ Hz 无1 /f噪声:140nV < sub> PP (0.1Hz至10Hz) 快速稳定:2μs(1V至0.01%) 增益带宽:10MHz 单电源:2.5V至5.5V 双电源:±1.25V至±2.75V 真实轨到轨输入和输出 已滤除电磁干?#29275;?EMI)/射频干?#29275;≧FI)的输入 行业标...
      发表于 01-08 17:51 ? 109次 阅读
      OPA4388 10MHz、CMOS、零漂移、零交叉、真 RRIO 精密运算放大器

      TLV2314-Q1 3MHz、低功耗、内置 EMI 滤波器的 RRIO 运算放大器

      TLVx314-Q1系列单通道,双通道和四通道运算放大器是新一代低功?#27169;?#36890;用运算放大器的典型代表。该系列器件具有轨到轨输入和输出(RRIO)摆幅,低静态电流(5V时典型值为150μA),3MHz高带宽等特性,非常适用于需要在成本与性能间实现良好平衡的各类电池供电型应用。 TLVx314-Q1系列可实现1pA低输入偏置电流,是高阻抗传感器的理想选择。 TLVx314-Q1器件采用稳健耐用的设计,方便电路设计人员使用。该器件具有单位增益稳定性,支持轨到轨输入和输出(RRIO),容性负载高达300PF,集成RF和EMI抑制滤波器,在过驱条件下不会出现反相并且具有高静电放电(ESD)保护(4kV人体模型(HBM))。 此类器件经过优化,适合在1.8V(±0.9V)至5.5V(±2.75V)的低电压状态下工作并可在-40°C至+ 125°C的扩展工业温度范围内额定运行。 TLV314-Q1(单通道)采用5引脚SC70和小外形尺寸晶体管(SOT)-23封装.TLV2314-Q1(双通道版本)采用8引脚小外形尺寸集成电路(SOIC)封装?#32479;?#34180;外形尺寸(VSSOP)封装。四通道TLV4314-Q1采用14引脚薄型小外形尺寸(TSSOP)封装。 特性 符合汽车类应用的要求 具...
      发表于 01-08 17:51 ? 101次 阅读
      TLV2314-Q1 3MHz、低功耗、内置 EMI 滤波器的 RRIO 运算放大器

      DRV5021 2.5V 至 5.5V 霍尔效应单极开关

      DRV5021器件是一款用于高速应用的低压数字开关霍尔效应传感器。该器件采用2.5V至5.5V电源工作,可检测磁通密度,并根据预定义的磁阈值提供数?#36136;?#20986;。 该器件检测垂直于封装面的磁场。当施加的磁通密度超过磁操作点(B OP )阈值?#20445;?#22120;件的漏极开路输出驱动低电压。当磁通密度降低到小于磁释放点(B RP )阈值?#20445;?#36755;出变为高阻抗。由B OP 和B RP 分离产生的滞后有助于?#20048;?#36755;入噪声引起的输出误差。这种配置使系统设计更加强大,可抵抗噪声干扰。 该器件可在-40°C至+ 125°C的宽环境温度范围内始终如一地工作。 特性 数字单极开关霍尔传感器 2.5 V至5.5 V工作电压V CC 范围 磁敏感度选项(B OP ,B RP ): DRV5021A1:2.9 mT,1.8 mT DRV5021A2:9.2 mT,7.0 mT DRV5021A3:17.9 mT,14.1 mT 快速30-kHz感应带宽 开漏输出能够达到20 mA 优化的低压架构 集成滞后以增强抗噪能力 工作温度范围:-40° C至+ 125°C 标准工业封装: 表面贴装SOT-23 所有商标均为其各自所有者的财产。 参数 与其它产品相比?霍尔效应锁存器和开关 ? Type Supply Voltage (Vcc) (Min) (V...
      发表于 01-08 17:51 ? 152次 阅读
      DRV5021 2.5V 至 5.5V 霍尔效应单极开关

      TLV1805-Q1 具有关断功能的 40V 微功耗推挽式汽车类高电压比较器

      TLV1805-Q1高压比较器提供宽电源范围,推挽输出,轨到轨输入,低静态电流,关断的独特组合和快速输出响应。所有这些特性使该比较器非常适合需要检测正或负电?#26500;?#30340;应用,如智能二极管控制器的反向电流保护,过流检测和过压保护电路,其中推挽输出级用于驱动栅极p沟道或n沟道MOSFET开关。 高峰值电流推挽输出级是高压比较器的独特之处,它具有?#24066;?#36755;出主动驱动负载到电源轨的优势具有快速边缘速率。这在MOSFET开关需要被驱动为高或低以便将主机与意外高压电源连接或断开的应用中尤其有价值。低输入失调电压,低输入偏置电流和高阻态关断等附加功能使TLV1805-Q1足够灵活,可以处理几乎任何应用,从简单的电压检测到驱动单个继电器。 TLV1805-Q1符合AEC-Q100标准,采用6引脚SOT-23封装,额定工作温度范围为-40°C至+ 125°C。 特性 AEC-Q100符合以下结果: DeviceTemperature 1级:-40°C至+ 125°C环境温度工作温度 器件HBMESD分类等级2 器件CDM ESD分类等级C4A 3.3 V至40 V电源范围 低静态电流?#22909;?#20010;比较器150μA 两个导轨以外的输入共模范围 相?#29615;?#36716;保护 推 - 拉输出 250ns传播延迟 低输入失...
      发表于 01-08 17:51 ? 131次 阅读
      TLV1805-Q1 具有关断功能的 40V 微功耗推挽式汽车类高电压比较器

      TMP461-SP ?#22836;?#23556; (RHA) 高精度远程和本地温度传感器

      这个远程温度传感器通常采用?#32479;?#26412;分立式NPN或PNP晶体管,或者基板热晶体管/二极管,这些器件都是微处理器,模数转换器(ADC),数模转换器(DAC),微控制器或现场可编程门阵列(FPGA)中不可或缺的部件。本地和远程传感器均用12位数字编码表示温度,?#30452;?#29575;为0.0625°C。此两线制串口接受SMBus通信协议,以及多达9个不同的引脚可编程地址。 该器件将诸如串联电阻抵消,可编程非理想性因子(η因子),可编程偏移,可编程温度限制和可编程数字滤波器等高级特性完美结合,提供了一套准确度和抗扰度更高且稳健耐用的温度监控解决方案。 TMP461-SP是在各种分布式遥测应用中进行多位置高精度温度测量的理想选择这类集成式本地和远程温度传感器?#21830;?#20379;一种简单的方法来测量温度梯度,进而简化了航天器维护活动。该器件的额定电源电压范围为1.7V至3.6V,额定工作温度范围为-55 °C至125°C。 特性 符合QMLV标准:5962-1721801VXC 热增强型HKU封装 经测试,在50rad /s的高剂量率(HDR)下,可抵抗高达50krad(Si)的电离辐射总剂量(TID) 经测试,在10mrad /s的低剂量率(LDR)下,可抵抗高达100krad(Si)的电离辐射...
      发表于 01-08 17:51 ? 193次 阅读
      TMP461-SP ?#22836;?#23556; (RHA) 高精度远程和本地温度传感器

      LP87524P-Q1 用于 AWR 和 IWR MMIC 的四个 4MHz 降压转换器

      LP87524B /J /P-Q1旨在满足各?#21046;?#36710;电源应用中最新处理器?#25512;?#21488;的电源管理要求。该器件包含四个降压DC-DC转换器内核,配置为4个单相输出。该器件由I 2 C兼容串行接口和enableignals控制。 自动PFM /PWM(自动模式)操作可在宽输出电流范围内最大限度地提高效率。 LP87524B /J /P-Q1支持远程电压检测,以补偿稳压器输出和负载点(POL)之间的IR压降,从而提高输出电压的精度。此外,开关时钟可以强制为PWM模式,也可以与外部时钟同步,以最大限度地减少干扰。 LP87524B /J /P-Q1器件支持负载电流测量,无需增加外部电流检测电阻器。此外,LP87524B /J /P-Q1还支持可编程的启动和关闭延迟以及与信号同步的序?#23567;?#36825;些序列还可以包括GPIO信?#29275;?#20197;控制外部稳压器,负载开关和处理器复位。在启动和电压变化期间,器件控制输出压摆率,以最大限度地减少输出电压过冲和浪涌电流。 特性 符合汽车应用要求 AEC-Q100符合以下结果: 设备温度等级1:-40°C至+ 125°C环境工作温度 输入电压:2.8 V至5.5 V 输出电压:0.6 V至3.36 V 四个高效降压型DC-DC转换器内核: 总输出电流高达10 A 输出电压漏电率...
      发表于 01-08 17:51 ? 171次 阅读
      LP87524P-Q1 用于 AWR 和 IWR MMIC 的四个 4MHz 降压转换器

      TAS2562 具有扬声器 IV 检测功能的数?#36136;?#20837;单声道 D 类音频放大器

      TAS2562是一款数?#36136;?#20837;D类音频放大器,经过优化,能?#25381;行?#22320;将高峰值功率驱动到小型扬声器应用中。 D类放大器能够在电压为3.6 V的情况下向6.1负载提供6.1 W的峰值功率。 集成扬声器电压和电流检测可实现对扬声器的实时监控。这?#24066;?#22312;将扬声器保持在安全操作区域的同时推动峰值SPL。具有?#20048;沟?#30005;的电池跟踪峰值电压限制器可优化整个充电周期内的放大器裕量,?#20048;?#31995;统关闭。 I 2 S /TDM + I中最多可有四个器件共用一个公共总线 2 C接口。 TAS2562器件采用36球,0.4 mm间距CSP封装,尺寸紧凑。 高性能D类放大器 6.1 W 1%THD + N(3.6 V时4Ω) 5 W 1%THD + N(在3.6 V时为8Ω) 15μVrmsA加权空?#34892;?#36947;噪声 112.5dB SNR为1%THD + N(8Ω) 100dB PSRR,200 mV PP 纹波频率为20 - 20 kHz 83.5%效率为1 W (8Ω,VBAT = 4.2V) &lt; 1μAHW关断VBAT电流 扬声器电压和电流检测 VBAT跟踪峰值电压限制器,具有?#36153;?#39044;防 8 kHz至192 kHz采样率 灵活的用户界面 I 2 S /TDM:8通道(32位/96 kHz) I 2 < /sup> C:4个可选择的地址 MCLK免费操作 低流行并点...
      发表于 01-08 17:51 ? 235次 阅读
      TAS2562 具有扬声器 IV 检测功能的数?#36136;?#20837;单声道 D 类音频放大器

      LM358B 双路运算放大器

      LM358B和LM2904B器件是?#21040;?#26631;准的LM358和LM2904器件的下一代版本,包括两个高压(36V)操作放大器(运算放大器)。这些器件为成本敏?#34892;?#24212;用提供了卓越的价值,具有低失调(300μV,典型值),共模输入接地范围和高差分输入电压能力等特点。 LM358B和LM2904B器件简化电路设计具有增强稳定性,3 mV(室温下最大)的?#25512;?#31227;电压和300μA(典型值)的低静态电流等增强功能。 LM358B和LM2904B器件具有高ESD(2 kV,HBM)和集成的EMI和RF滤波器,可用于最坚固,极具环?#31243;?#25112;性的应用。 LM358B和LM2904B器件采用微型封装,例如TSOT-8和WSON,以及行业标准封装,包括SOIC,TSSOP和VSSOP。 特性 3 V至36 V的宽电源范围(B版) 供应 - 电流为300μA(B版,典型值) 1.2 MHz的单位增益带宽(B版) 普通 - 模式输入电压范围包括接地,使能接地直接接地 25°C时低输入偏移电压3 mV(A和B型?#29275;?#26368;大值) 内部RF和EMI滤波器(B版) 在符合MIL-PRF-38535的产品上,除非另有说明,否则所有参数均经过测试。在所有其他产品上,生产加工不一定包括所有参数的测试。 所...
      发表于 01-08 17:51 ? 172次 阅读
      LM358B 双路运算放大器

      LP87565-Q1 具有集成开关的四相 8A + 8A 降压转换器

      LP8756x-Q1器件专为满足各?#21046;?#36710;电源应用中最新处理器?#25512;?#21488;的电源管理要求而设计。该器件包含四个降压直流/直流转换器内核,这些内核可配置为1个四相输出,1个三相和1个单相输出,2个两相输出,1个两相和2个单相输出,或者4个单相输出。该器件由I 2 C兼容串行接口和使能信号进行控制。 自动脉宽调制(PWM)到脉频调制(PFM)操作( AUTO模式)与自动增相和切相相结合,可在较宽输出电流范围内最大限度地提高效率.LP8756x-Q1支持对多相位输出的远程差分电压检测,可补偿稳压器输出与负载点(POL)之间的IR压降,从而提高输出电压的精度。此外,可以强制开关时钟进入PWM模式以及将其与外部时钟同步,从而最大限度地降?#36879;?#25200;。 LP8756x- Q1器件支持在不添加外部电流检测电阻器的情况下进行负载电这个序列可能包括用于控制外部稳压器,负载开关和处理器复位的GPIO信号。在启动和电压变化期间,该器件会对输出压摆?#24335;?#34892;控制,从而最大限度地减小输出电压过冲和浪涌电流。 特性 符合汽车类标准 具有符合AEC-Q100标准的下列特性: 器件温度1级:-40℃至+ 125℃的环境运行温度范围 器件HBM ESD分类等级2 器件CDM ES...
      发表于 01-08 17:51 ? 137次 阅读
      LP87565-Q1 具有集成开关的四相 8A + 8A 降压转换器

      LM2902LV 行业标准、低电压放大器

      LM290xLV系列包括双路LM2904LV和四路LM2902LV运算放大器。这些器件由2.7V至5.5V的低电压供电。 这些运算放大器可以替代低电压应用中的成本敏?#34892;蚅M2904和LM2902。?#34892;?#24212;用是大型电器,烟雾探测器和个人电子产品.LM290xLV器件在低电压下?#21830;?#20379;比LM290x器件更佳的性能,并且功能耗尽。这些运算放大器具有单位增益稳定性,并?#20197;?#36807;驱情况下不会出现相?#29615;?#36716;.ESD设计为LM290xLV系列提供了至少2kV的HBM规格。 LM290xLV系列采用行业标准封装。这些封装包括SOIC,VSSOP和TSSOP封装。 特性 适用于成本敏?#34892;?#31995;统的工业标准放大器 低输入失调电压:±1mV < LI>共模电压范围包括接地 单位增益带宽:1MHz的 低宽带噪声:40nV /√赫兹 低静态电流:90μA/通道 单位增益稳定 可在2.7V至5.5V的电源电压下运行 提供双通道和四通道型号< /li> ?#32454;?#30340;ESD规格:2kV HBM 扩展温度范围:-40°C至125°C 所有商标均为各自所有者的财产。 参数 与其它产品相比?通用 运算放大器 ? Number of channels (#) Total Supply Voltage (Min) (+5V=5, +/-5V=10) Total Supply Voltage (Max) (+5V...
      发表于 01-08 17:51 ? 142次 阅读
      LM2902LV 行业标准、低电压放大器

      LP87561-Q1 具有集成开关的四相 16A 降压转换器

      LP8756x-Q1器件专为满足各?#21046;?#36710;电源应用中最新处理器?#25512;?#21488;的电源管理要求而设计。该器件包含四个降压直流/直流转换器内核,这些内核可配置为1个四相输出,1个三相和1个单相输出,2个两相输出,1个两相和2个单相输出,或者4个单相输出。该器件由I 2 C兼容串行接口和使能信号进行控制。 自动脉宽调制(PWM)到脉频调制(PFM)操作( AUTO模式)与自动增相和切相相结合,可在较宽输出电流范围内最大限度地提高效率.LP8756x-Q1支持对多相位输出的远程差分电压检测,可补偿稳压器输出与负载点(POL)之间的IR压降,从而提高输出电压的精度。此外,可以强制开关时钟进入PWM模式以及将其与外部时钟同步,从而最大限度地降?#36879;?#25200;。 LP8756x- Q1器件支持在不添加外部电流检测电阻器的情况下进行负载电这个序列可能包括用于控制外部稳压器,负载开关和处理器复位的GPIO信号。在启动和电压变化期间,该器件会对输出压摆?#24335;?#34892;控制,从而最大限度地减小输出电压过冲和浪涌电流。 特性 符合汽车类标准 具有符合AEC-Q100标准的下列特性: 器件温度1级:-40℃至+ 125℃的环境运行温度范围 器件HBM ESD分类等级2 器件CDM ES...
      发表于 01-08 17:51 ? 122次 阅读
      LP87561-Q1 具有集成开关的四相 16A 降压转换器
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